Наноэлектроника - ТОП 50 лучших книг

These notes are a result of a series of lectures given to the MS and PhD students of the Department of Physics, Moscow State Pedagogical University. They deal with the subject of electron-phonon interaction in pure threedimensional metals. The goal was to show how one could calculate the temperature dependence of the electron-phonon-interaction time from first principles within a simple model. Students wishing to expand their knowledge of the subject of condensed matter are invited to study any book on solid-state physics (for example by J.M. Ziman, or N.W. Ashcroft and N.D. Mermin.

Учебное пособие разработано в соответствии с государственным образовательным стандартом высшего профессионального образования по направлению подготовки дипломированных специалистов 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника». Впервые технологии микро- и наноэлектроники рассмотрены неразрывно с технологиями высокочистых веществ и материалов в основополагающем ключе «высокая чистота материала – высокое качество продукции». Рассмотрены основные процессы получения высокочистых веществ и материалов на их основе, процессы и технологии получения эпитаксиальных структур кремния, арсенида галлия и др., технологии их обработки при переходе к компонентам электронной техники. Пособие может быть использовано студентами всех форм обучения, в том числе и по смежным специальностям, как для самостоятельной работы, так и выполнения курсовых проектов, а также в качестве конспекта лекций по курсу «Технология материалов электронной техники». Содержит перечень контрольных вопросов для оценки усвоения студентами материала.

Объектом исследования являются сверхпроводниковые наноструктуры, изготовленных из тонких пленок сверхпроводников, таких как NbN, WSi и пленки алмаза с примесью бора. Изучение физики неравновесного состояния в тонкопленочных сверхпроводящих наноструктурах, возникающего при поглощении инфракрасных фотонов. Изучение динамики процессов энергетической релаксации и механизма возникновения резистивного состояния в сверхпроводниковых наноструктурах, изготовленных из тонких сверхпроводящих пленок NbN, WSi и пленках алмаза, легированного бором.

Монография посвящена экспериментальному и теоретическому исследованию эффекта однофотонного детектирования в узких сверхпроводящих полосках на основе ультратонких пленок, который был в 2001 г. предложен автором настоящей монографии и в том же году был обнаружен экспериментально. Монография предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и начинающих исследователей, работающих в области сверхпроводниковой наноэлектроники и радиофизики.

Изложены принципы дискретизации аналоговых сигналов, методы обработки дискретных функций, основанные на преобразовании Фурье, исследованы вопросы теории интегрального вейвлет-анализа и рядов вейвлетов, особенности построения ортогональных вейвлетов с конечным носителем в рамках одного континуума, дано представление об алгоритмах построения цифровых фильтров, уделено большое внимание устройствам цифровой техники. Пособие предназначено для студентов высших учебных заведений (магистрантов), обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника». Оно может быть полезно также студентам, специализирующимся в различных областях радиотехники, информатики и прикладной математики.

Изложены физические и математические основы квантовой механики и их применение в физике твердого тела, в полупроводниковых структурах. Приводятся примеры, иллюстрирующие теоретические положения, и задачи для самостоятельной работы. Издание предназначено для студентов инженерно-технических специальностей, приступающих к изучению микро- и наноэлектроники.

Книга представляет собой морализированную попытку научной фантастики рассуждать о Будущем. В ней прочитывается желание объяснить читателю, как от племени “Пираха” Человечество пришло к племени “ Киборгов”. Исторический межпоколенный конвейер сыграл свою невеселую роль и в эволюции Человека. Выручает лишь Природа. Она создает уникальность того, по чему человечество будет ностальгировать следующие столетия. Описание процесса раритезации мышления – интересный подход к вечной проблеме осмысления мира и места в нем Человека. В оформлении обложки использовано изображение содержания книги. Автор Света Сапрон.

Книга посвящена современной наноэлектронике в концепции «снизу – вверх», основы которой были заложены еще Рольфом Ландауэром, а ныне активно развиваемой Суприе Даттой, Марком Лундстромом и другими исследователями. Подробно рассмотрена обобщенная модель транспорта электронов и переноса тепла в микро- и наноэлектронике, одинаково пригодная для 0D, 1D, 2D и 3D резисторов произвольного масштаба, характеризуемых любой наперед заданной дисперсией и работающих в баллистическом, диффузионном и промежуточных режимах. В первой части рассматривается классический транспорт, а во второй части – квантовый, включая начала спинтроники, магнетроники и молекулярной электроники, на основе метода неравновесных функций Грина в матричном представлении вплоть до квантовой природы классики. Книга предназначена прежде всего для студентов, магистрантов, аспирантов и преподавателей университетов естественно-научного профиля, как физиков, химиков, так и будущих электроинженеров. Чтобы сделать книгу доступной даже студентам младших к…

Книга представляет собой сборник научных работ сотрудников и выпускников Национального исследовательского университета «МИЭТ» и касается развивающихся направлений нанотехнологий в электронике. Следует отметить, что каждая из статей – это законченный труд научно-исследовательского либо аналитического характера, отражающий современное состояние исследований в обсуждаемых авторами областях. Книга будет полезна специалистам в различных областях микро- и наноэлектроники, а также молодым исследователям – аспирантам и студентам-магистрантам.

В настоящее время математическое моделирование устройств и систем основывается на использовании таких средств вычислительной математики, как численный анализ и численное решение краевых задач для уравнений математической физики. В настоящем пособии рассматриваются вопросы интерполяции и сглаживания экспериментальных данных, численного вычисления интегралов, а также введения в численные методы решения краевых задач методом сеток и методом конечных элементов. Материал пособия предназначен для обучения магистров по направлению 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника». Он может быть также полезен для будущих бакалавров и магистров других специальностей факультета РЭФ НГТУ, желающих углубить свои знания в области математического моделирования с использованием современных численных методов вычислительной математики. Пособие подготовлено на кафедре полупроводниковых приборов и микроэлектроники НГТУ.

Эта книга об одном из наиболее ранних и активно развивающихся направлений нанотехнологии – создании вычислительных устройств, в которых в качестве элементной базы используются отдельные молекулы или же их сравнительно небольшие ансамбли. Изложены основные принципы обработки информации на молекулярном уровне, сложная и во многом противоречивая история разработки молекулярных вычислительных устройств и последние результаты, которые позволяют надеяться на новый прорыв в современной вычислительной технике. Рассматриваются цифровые молекулярные системы, сходные по своей архитектуре с современными компьютерами, а также устройства, имитирующие биологические принципы обработки информации, которые, по-видимому, смогут эффективно решать задачи искусственного интеллекта. Для студентов, аспирантов и научных работников, создающих новые перспективные средства обработки информации, а также для широкого круга читателей, интересующихся этой проблемой. Издание осуществлено при поддержке Российского фонда фундаментальных ис…

Изложены физические основы работы полупроводниковых приборов. Особое внимание уделено процессам в электронно-дырочных переходах, составляющих основу практически всех полупроводниковых диодов, транзисторов и тиристоров. Отдельно выделены полупроводниковые элементы, предназначенные для работы в силовых устройствах и устройствах СВЧ-электроники. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», профиль «Конструирование и технология электронных средств».

Изложены основные теоретические сведения, необходимые для составления технического задания на проектирование изделий электронных средств различного назначения. Рассмотрен порядок анализа технического задания в зависимости от назначения, условий эксплуатации, объекта размещения и других ограничений. В приложении приведены примеры технических заданий на проектирование электронных средств и варианты анализа технического задания, а также график выполнения курсового проекта по дисциплине «Основы конструирования электронных средств». Предназначено для бакалавров и магистрантов направлений подготовки 110303 «Конструирование и технология электронных средств» и 110304 «Электроника и наноэлектроника».

В пособии рассмотрены физические основы, а также основные типы современных и перспективных элементов наноэлектроники. Особое внимание уделено полевым транзисторам с индуцированным каналом (МОП), их масштабированию и побочным эффектам миниатюризации. Рассмотрены краткие теоретические сведения и задания для практических занятий по разделам, не нашедшим отражения в основной части пособия. Настоящее пособие может быть использовано в учебных целях в вузах физического, приборостроительного и электротехнического профилей.

Учебное пособие содержит изложение разделов курса физики, касающихся квантовых свойств излучения и корпускулярно-волнового дуализма. Пособие предназначено для студентов ЮФУ, обучающихся по направлениям «Приборостроение», «Электронная техника, радиотехника и связь», «Электроника и наноэлектроника».

Методические материалы по дисциплине «Методы литографии в наноинженерии» содержат ее нормативную базу, рекомендации по организации и проведению лекций, практических занятий, семинаров, лабораторных работ и деловых игр, перечень учебных видео- и аудиоматериалов, слайдов, типовых плакатов и другие дидактические материалы, необходимые для работы профессорско-преподавательского состава по данной дисциплине. Для студентов, аспирантов и преподавателей высших технических учебных заведений по направлению подготовки «Нанотехнология» с профилем подготовки «Наноинженерия». Будут полезны всем, занимающимся вопросами нанотехнологий, наноинженерии, проектированием МЭМС и НЭМС, созданием электронных систем различного назначения.

Настоящее учебное пособие предназначено для студентов, магистрантов и аспирантов, специализирующихся в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов и наноэлектроники. Оно также может быть рекомендовано студентам, инженерам и научным работникам, желающим самостоятельно изучать физику низкоразмерных систем или расширить и систематизировать свои знания в области физических основ наноэлектроники. Пособие состоит из двенадцати разделов, каждый из которых включает краткое теоретическое введение, примеры решения задач, задачи для решения на практических занятиях и самостоятельной работы.

Представлены общие сведения о материалах, используемых в современной электронике, и физике явлений, происходящих в проводниковых, полупроводниковых, диэлектрических и магнитных материалах. Рассмотрены электрические и магнитные свойства материалов. Показаны технологии производства важнейших материалов и их применение. Изложены физические принципы, положенные в основу материалов и технологий наноэлектроники. Пособие предназначено для студентов вузов, специализирующихся в области химической технологии материалов и изделий электронной техники.

Представлено современное состояние нелинейной теории взаимодействия электронных пучков с плазмой. Основное внимание уделено излучательным пучковым неустойчивостям типа коллективного и одночастичного эффектов Черенкова, а также процессам вынужденного рассеяния плазменных и электромагнитных волн на пучках. Методами разложения траекторий и импульсов частиц по степеням поля исследованы нелинейные стадии неустойчивостей, стабилизирующиеся нелинейными сдвигами частот пучковых и плазменных волн. Нелинейные явления, связанные с захватом частиц и опрокидыванием волн, исследованы численными методами. Рассмотрена также нелинейная теория неустойчивостей плазмы, электроны которой движутся относительно неподвижного ионного фона. Рассмотрены нелинейные электромагнитные явления в пространственно неоднородных электронном пучке и плазме. Изложена также квантовая теория черенковских пучковых неустойчивостей в изотропных средах. Для научных работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области элект…

Учебное пособие соответствует программе семестрового курса лекций по теории линейных систем автоматического управления. Содержит основные понятия, передаточные функции, частотные и временные характеристики различных звеньев и систем автоматического управления. Исследуется устойчивость непрерывных и импульсных систем, производится оценка качества переходных и установившихся режимов работы этих систем. Рассмотрены методы синтеза последовательных корректирующих устройств. Предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника» и другим инженерно-техническим направлениям подготовки.

В пособии рассмотрены взаимодействие световых потоков с полупроводниковой структурой, режимы обработки, процессы отжига и рекристаллизации поликремниевых и аморфных слоев, отжига и легирования полупроводниковых структур, формирование контактно-металлизационной системы, планаризация, а также получение диэлектрических пленок. Учебное пособие может быть использовано при подготовке магистров по направлениям 28.04.01 – Нанотехнологии и микросистемная техника, 11.04.03 – Конструирование и технология электронных средств, 11.04.04 – Электроника и наноэлектроника в курсе «Лучевые процессы нанотехнологии».

Подробно рассмотрены фундаментальные физические эффекты и электронные процессы, характерные для наноразмерных структур. Описаны принципы функционирования и типы наноэлектронных приборов для обработки информации. Приведены нанотехнологические подходы, позволяющие формировать приборные структуры наноэлектроники и спинтроники. Наряду с обновленным и расширенным теоретическим материалом предыдущего издания в данное издание включены практические задачи и контрольные вопросы для самопроверки, призванные закрепить изучаемый теоретический материал. Для студентов, магистрантов и аспирантов, профессионально ориентированных на карьеру в области современной электроники и нанотехнологий.

Рассмотрена совокупность вопросов, связанных с созданием многоуровневых систем металлизации интегральных микросхем по технологическим маршрутам, обобщенно называемым Back-End-Of-Lme (BEOL). Охарактеризованы проблемы и решения создания проводящих и металлических тонких пленок, пленок диэлектрических материалов, проблемы и решения по планаризации поверхности интегральных микросхем. Рассмотрены вопросы получения конформных тонкопленочных покрытий на усложняющихся рельефах интегральных микросхем. Может быть рекомендовано для обучения бакалавров и магистрантов по направлениям 11.03.04 и 11.04.04 «Электроника и наноэлектроника», 28.03.01 и 28.04.01 «Нанотехнологии и микросистемная техника» в рамках семинаров по специальностям и дисциплинам, связанным с преподаванием физико-химических основ технологических процессов изделий микроэлектроники, микросистемной техники, наноэлектроники, а также для магистрантов и аспирантов по специальности 11.06.01 «Электроника, радиотехника и системы связи», технологов производства…

В учебном пособии представлены различные физико-химические, электрофизические и эксплуатационные свойства композиционных материалов, содержащих металлические и полупроводниковые наночастицы. Материал можно условно разбить на несколько блоков, в которых рассматриваются строение наночастиц и их поведение при воздействии электрического, магнитного и электромагнитного полей. Также уделено внимание исследованию биологических систем и применению наноматериалов в медицине. Ряд явлений, обсуждаемых в книге, интересны не только с научной точки зрения, но и сулят заметный практический выход, а в некоторых случаях уже эффективно используются в промышленных масштабах. В заключение рассматриваются актуальные проблемы, связанные с воздействием нанообъектов на организм человека вследствие биологической активности наночастиц, обусловленной их высокой проникающей способностью и эффективным взаимодействием с живой клеткой. Все вопросы, обсуждаемые в книге, представлены высококвалифицированными специалистами, активно работа…

Рассмотрены математические модели, которые описывают приборные полупроводниковые структуры, технологические процессы их создания и программные средства, обеспечивающие приборно-технологическое моделирование. Предназначено для магистрантов направления подготовки 110404 «Электроника и наноэлектроника». Может быть рекомендовано студентам всех специальностей и направлений укрупненной группы 110000 «Электроника, радиотехника и системы связи».

Рассмотрены основные положения общей и физической химии в технологических процессах интегральных микросхем и микро-электромеханических систем. Основное внимание уделено химическим процессам в серийном производстве микро-наноэлементов, материалам и оборудованию, обеспечивающего данные процессы. Приводятся конкретные технологические процессы химической подготовки и обработки технологических слоёв и их особенности в серийном производстве. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Конструирование и технология электронных средств».

Изложены вопросы технологии производства интегральных микросхем. Основное внимание уделено вопросам формирования структуры полупроводниковых микросхем. Рассмотрена технология получения тонких пленок в гибридных интегральных схемах. Для студентов, обучающихся по направлению подготовки 11.03.03 «Конструирование и технология электронных средств», профиль «Конструирование и технология электронных средств».

Прогресс в микроэлектронике связывают с уменьшением линейных размеров функциональных элементов. Если их размеры становятся порядка нанометров, то существенными являются квантовые эффекты, принципиально меняющие физику работы. Созданием таких элементов и интегральных квантовых схем на их основе занимается нанотехнология. В монографии изложены физические основы зондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов, показаны основные достижения, обсуждаются проблемы, требующие решения. Предназначена для студентов старших курсов, аспирантов и молодых ученых, желающих познакомиться с новым научным направлением и попробовать свои силы в развитии технологии ХХI века.

Настоящее издание – второй выпуск книги «Нанотехнологии в электронике», вышедшей несколько лет назад. Каждую из частей книги представляет группа авторов, активно развивающих данное направление в Национальном исследовательском университете «МИЭТ». Коллектив авторов старался осуществить частичную преемственность материала, содержащегося в первом выпуске, однако структура книги существенно изменилась: группировка статей по условным разделам (теоретико-экспериментальные работы, методы исследований, технологии, приборы и устройства) представляется более правильной с точки зрения понимания общего направления работ в МИЭТ. Каждая из работ представляет собой законченный научный труд обзорного или обобщающего характера, либо является частью оригинальных исследований, полученных в последние 3-5 лет. Книга представляет интерес для специалистов, аспирантов и студентов, работающих в области нанотехнологии и смежных областях.

Описаны физические явления, используемые в работе сканирующего туннельного микроскопа и атомного силового микроскопа. Рассмотрены физико-химические законы наиболее разработанных зондовых нанотехнологий. Для студентов и аспирантов специальностей «Технологии приборостроения», «Технологии электронных средств», «Нанотехнологии».

Монография содержит систематическое изложение принципов построения компактных моделей МОП-транзисторов для схемотехнического моделирования электронных цепей, в том числе СБИС. Рассмотрены проблемы моделирования, физические процессы в микро- и нанометровых МОП-транзисторах, методы формирования уравнений компактных моделей, особенности моделей BSIM, EKV, PSP, HiSIM и др., табличные модели, полунатурные модели. Для разработчиков интегральных схем и электронной аппаратуры, разработчиков САПР СБИС, научных работников и аспирантов. Может быть полезна студентам физических специальностей университетов.

Рассмотрены основные направления развития современной электроники, использующей физические эффекты, имеющие место в наноструктурах. Проанализированы пути перехода от микро- к наноэлектронным приборам, приведены описания нанотехнологических процессов, элементов и приборов наноэлектроники и новых материалов, с которыми тесно связано развитие приоритетной области нанонауки и нанотехнологии. Для студентов по направлениям подготовки «Прикладные математика и физика», «Электроника и наноэлектроника», «Нанотехнологии и микросистемная техника», а также для аспирантов и научных работников, специализирующихся в области наноэлектроники и нанотехнологий.

Рассмотрены общие положения, основные принципы работы и параметры некоторых электровакуумных и газоразрядных приборов: фотоэлектронных умножителей, электронных ламп, осциллографической электронно-лучевой трубки, приборов тлеющего разряда (стабилитрона и знакового индикатора). Для знакомства с этими приборами, изучения физических основ и принципов их действия предложены экспериментальные работы, сформулированы задания к работам, порядок их выполнения, контрольные вопросы, выносимые на защиту работ, и содержание отчетов. Пособие предназначено для студентов, обучающихся по направлению «Электроника и наноэлектроника», а также может быть полезно для инженеров и научных работников, занимающихся разработкой новых типов приборов и усовершенствованием существующих.

Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур».

В книге дан анализ современного состояния и тенденций развития вакуумной микро- и наноэлектроники. Рассмотрены физико-химические основы процесса создания нового класса автоэмиссионных наноструктур на базе нанопористого анодного оксида алюминия. Приведены результаты исследований их геометрических параметров, элементного состава и эмиссионных характеристик. Представлена принципиально новая интегральная технология создания наноструктурных автоэлектронных микроприборов и систем их межсоединений на основе тонких пленок вентильных металлов и их анодных оксидов. Изложены физические основы процедуры моделирования и расчета характеристик этих микроприборов. Приведены их экспериментальные и расчетные характеристики. Предназначается для научных и инженерно-технических работников, аспирантов и студентов старших курсов, специализирующихся в области физической электроники, микро- и наноэлектроники.

Излагаются основы статистической физики классических и квантовых равновесных систем. Приводятся примеры, иллюстрирующие теоретические положения из области микро- и наноэлектроники. Представлены задачи для самостоятельной работы и индивидуальных заданий.

Монография посвящена детекторам видимого, дальнего ближнего и дальнего ИК диапазонов на основе пленок TiN, исследование времени релаксации энергии в сверхпроводящих пленках алмаза, легированного бором, разработка и исследование сверхпроводникового однофотонного детектора на основе нанопроводника из NbN для когерентного детектирования слабых сигналов.

Рассмотрены основные положения физики твёрдого тела и физической химии полупроводников. Основное внимание уделено технологии, соответствующему оборудованию и оснастке, используемым для получения технологического слоя. Приводятся конкретные примеры решения обратных задач по определению технологических режимов получения слоёв с заданными параметрами. Освещены регламентные работы в промышленном производстве. Рассмотрены основные экологические проблемы в промышленных технологиях. Для студентов, обучающихся по специальности «Электроника, радиотехника и системы связи», а также инженеров, занятых проектированием и обслуживанием электронных приборов.

Полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи (солнечные элементы) – это силовые полупроводниковые приборы, генераторы, осуществляющие прямое преобразование световой энергии в электрическую за счет наличия в конструкции фоточувствительных материалов. Современные гетероструктурные солнечные элементы, демонстрирующие рекордные значения по эффективности преобразования, имеют сложную полупроводниковую структуру (InGaP/InGaAs/Ge), металлические токосборные контакты, защитное просветляющее покрытие. Эти элементы конструкции и технологии их создания в том или ином виде находят применение в других полупроводниковых приборах. Вместе с тем солнечные элементы являются планарными приборами и для них принципиальным становится соблюдение заданных параметров для всех частей конструкции на большой площади прибора, потому к технологии их изготовления предъявляются повышенные требования. Особенности технологии, методы и методики измерений и исследований, применяемые при создании таких приборов, могут быть полезны спе…

В учебном пособии рассматриваются теоретические вопросы анализа комплексных характеристик линий без потерь, даются пояснения к структуре круговой диаграммы и примеры ее использования для расчета комплексных сопротивлений и проводимостей линии без потерь при произвольной нагрузке. Приведены различные примеры анализа комплексных характеристик линий без потерь, в том числе задачи по расчету согласующих устройств с помощью круговой диаграммы. Предназначено для самостоятельной работы студентов, а также может быть полезно преподавателям при организации учебного процесса.

Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ко-валентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние p-n перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильно-легированных p-n переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.

В учебнике с единых позиций рассматриваются физические основы вакуумной и твердотельной микроволновой электроники. Подробно изложены механизмы взаимодействия электромагнитного поля с заряженными частицами, законы их движения в различных средах. Рассматриваются основные типы и разновидности микроволновых приборов, их принцип действия, теория, характеристики и параметры, конструктивные особенности. Изложение сопровождается большим количеством иллюстраций. Учебник предназначен для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника».

Рассмотрены основные положения общей и физической химии в технологических процессах интегральных микросхем и микро-электромеханических систем. Основное внимание уделено химическим процессам в серийном производстве микро-наноэлементов, материалам и оборудованию, обеспечивающего данные процессы. Приводятся конкретные технологические процессы химической подготовки и обработки технологических слоёв и их особенности в серийном производстве. Учебное пособие предназначено для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям подготовки бакалавриата и магистратуры «Электроника и наноэлектроника», «Конструирование и технология электронных средств».

Рассмотрены и обобщены результаты исследований и разработок в области технологии и оборудования для производства и диагностики субмикронных структур полупроводниковой микроэлектроники. Предназначена для инженерно-технических работников предприятий электронной и других отраслей промышленности, специалистов научно-исследовательских институтов, аспирантов, магистрантов и студентов старших курсов технических вузов.

Специальный лабораторный практикум по наноэлектронике ориентирован на выполнение лабораторных работ на современном исследовательском оборудовании, которые носят учебно-исследовательский характер, способствуют формированию у студентов методических подходов в научно-инновационных исследованиях и инженерно-технологической деятельности и являются базой для изучения дисциплин по выбору, а также для подготовки к выполнению магистерской диссертации. Описание каждой лабораторной работы содержит краткий теоретический материал и контрольные вопросы. Учебное пособие предназначено для студентов Института физики, технологий и информационных систем МПГУ, обучающихся по направлению 03.04.02 Физика, по магистерской программе «Физика и технология наноструктур и наноматериалов».

Учебное пособие содержит обобщение знаний в области лазерных технологий, сведения о физических основах лазерной обработки и её применении в микро- и наноэлектронике. Рассматриваются характеристики и параметры лазерного излучения и особенности различных лазерных технологических процессов, включая моделирование физики воздействия лазерного излучения на основе уравнения теплопроводности. Пособие рекомендовано для подготовки магистров по направлению 11.04.03 «Конструирование и технология электронных средств», а также для специалистов в области лазерных технологий.

В данном учебном пособии обобщены теоретические представления и фундаментальные закономерности явлений, лежащих в основе спинтроники. Также рассмотрены принципы функционирования и конструкции спинтронных элементов и систем для обработки информации. Издание подготовлено на основе материала курса лекций и практических занятий, проводимых по дисциплине «Спинтроника» для студентов первой ступени высшего образования и магистрантов, обучающихся по специальностям «Микро- и наноэлектронные технологии и системы», «Квантовые информационные системы», «Нанотехнологии и наноматериалы (в электронике)» в Белорусском государственном университете информатики и радиоэлектроники. Для студентов и магистрантов учреждений высшего образования по специальностям микро- и наноэлектронной техники, а также для всех интересующихся новейшими материалами и электронными технологиями.

Монография всеобъемлюще отражает самые последние сведения в области изучения и применения нанотрубок за последние двадцать лет. Приведена информация о методах их получения, структуре, электронных, оптических, механических, магнитных и эмиссионных свойствах. Описаны во многом удивительные изобретения, полученные с помощью этих новых материалов: одноэлектронный, полевой и квантовый нанотранзисторы, химические сенсоры, источники оптического и рентгеновского излучения, логические элементы, ячейки памяти и даже радиоприемник на одной-единственной углеродной нанотрубке. Значительное внимание уделено расчетам электронного строения нанотрубок с помощью метода линеаризованных присоединенных цилиндрических волн. Один из разделов книги посвящен новому направлению в науке – наноэлектромагнетизму. Для научных сотрудников, аспирантов, студентов физико-химических и инженерных специальностей. Некоторые разделы вполне доступны для понимания даже старшеклассниками.

В учебном пособии излагаются физические и технологические основы наноэлектроники, в том числе принципы функционирования и характеристики наноэлектронных устройств на базе квантово-размерных структур: резонансно-туннельных, одноэлектронных и спинтронных приборов. Рассматриваются особенности квантовых компьютеров, электронных устройств на сверхпроводниках, а также приборов нанобиоэлектроники. Каждая глава снабжена контрольными вопросами и заданиями для самоподготовки. Для студентов технических вузов, аспирантов, преподавателей и практических специалистов в области электроники. 4-е издание, электронное

Рассматриваются основные понятия и характеристики наномира и нанотехнологий, законы квантового мира; наноматериалы; инструменты нанотехнологий. Приведены прогнозы и примеры реализации наноэлек-тромеханических систем; одноэлектроники и наноэлектроники; элементов молекулярной, функциональной и диэлектрической электроники. Рассмотрены прогнозы и примеры реализации мемристорной и полимерной электроники. Освещены вопросы будущего развития наноэлектроники и нанотехнологий и вопросы, затрагивающие аспекты опасности применения нанотехнологий. Для студентов телекоммуникационных и радиотехнических специальностей дневной и заочной формы обучения, а также для инженерно-технических работников, изучающих электронику и схемотехнику.